當(dāng)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)有效溝道長度隨漏源電壓的變化而變化,從而漏電流略有增加。
溝道長度減小到一定程度后出現(xiàn)的一系列二級物理效應(yīng),如閾值電壓的變化。