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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述LOCOS隔離原理。
答案：
通過(guò)NMOS場(chǎng)區(qū)的硼注入及場(chǎng)區(qū)選擇氧化，增加場(chǎng)區(qū)的表面摻雜濃度及場(chǎng)區(qū)氧化層厚度，從而提高寄生NMOS管的閾值電壓，使該閾...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述倒摻雜阱技術(shù)的步驟。
答案：
連續(xù)三次離子注入
①第一次高能量（＞200KEV）、深結(jié)（~1.0μm）倒摻雜注入，以減小CMOS器件的...
①第一次高能量（＞200KEV）、深結(jié)（~1.0μm）倒摻雜注入，以減小CMOS器件的...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述先進(jìn)的0.18μmCMOS集成電路工藝技術(shù)工藝步驟。
答案：
①雙阱工藝；
②淺槽隔離工藝；
③多晶硅柵結(jié)構(gòu)工藝；
④輕摻雜漏（LDD）工藝；
②淺槽隔離工藝；
③多晶硅柵結(jié)構(gòu)工藝；
④輕摻雜漏（LDD）工藝；
