判斷題

熱氧化生長的SiO₂都是四面體結構，有橋鍵氧、非橋鍵氧，橋鍵氧越多結構越致密，SiO₂中有離子鍵成份，氧空位表現(xiàn)為帶正電。

答案：正確

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熱氧化過程中是硅向二氧化硅外表面運動，在二氧化硅表面與氧化劑反應生成二氧化硅。

答案：錯誤

當位錯線與滑移矢量垂直時，這樣的位錯稱為刃位錯，如果位錯線與滑移矢量平行，稱為螺位錯。

答案：正確

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