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集成電路制造工藝員單項(xiàng)選擇題每日一練(2019.12.11)

單項(xiàng)選擇題
一般用（）測量注入的劑量。
A.劑量分布儀
B.劑量統(tǒng)計(jì)儀
C.電荷分析儀
D.電荷積分儀
單項(xiàng)選擇題
大硅片上生長的（）的不均勻和各個(gè)部位刻蝕速率的不均勻會(huì)導(dǎo)致刻蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。
A.薄膜厚度
B.圖形寬度
C.圖形長度
D.圖形間隔
單項(xiàng)選擇題
請?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出硅化金屬的英文簡稱：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
單項(xiàng)選擇題
對于濃度覆蓋很寬的雜質(zhì)原子，可以采用（）方法引入到硅片中。
A.離子注入
B.濺射
C.淀積
D.擴(kuò)散
單項(xiàng)選擇題
真空鍍膜室內(nèi)，在蒸發(fā)源加熱器與襯底加熱器之間裝有活動(dòng)擋板，用來（）。
A.隔擋氣體交換
B.控制蒸發(fā)的過程
C.輔助熱量交換
D.溫度調(diào)節(jié)

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