A.逆磁場(chǎng)方向排列的質(zhì)子是高能不穩(wěn)態(tài)質(zhì)子 B.順磁場(chǎng)方向排列的質(zhì)子是高能穩(wěn)態(tài)質(zhì)子 C.順磁場(chǎng)方向排列的質(zhì)子是高能不穩(wěn)態(tài)質(zhì)子 D.逆磁場(chǎng)方向排列的質(zhì)子是低能穩(wěn)態(tài)質(zhì)子 E.逆磁場(chǎng)方向排列的質(zhì)子是低能不穩(wěn)態(tài)質(zhì)子
A.陽(yáng)極靶面傾角 B.管內(nèi)真空度 C.靶物質(zhì)厚度 D.靶物質(zhì)原子序數(shù) E.陽(yáng)極和陰極間距
A.1895年11月8日 B.1896年11月8日 C.1895年11月18日 D.1896年11月18日 E.1895年8月11日
A.陰極產(chǎn)生的電子能量不同 B.固有濾過(guò)材料不同 C.靶物質(zhì)的材料不同 D.由于光電效應(yīng)所致 E.由于康普頓效應(yīng)所致
A.X線總能量隨管電壓增大將以管電壓二次方比例增大 B.管電壓升高，最短波長(zhǎng)向長(zhǎng)波一側(cè)移動(dòng) C.管電壓升高，最強(qiáng)曲線向長(zhǎng)波一側(cè)移動(dòng) D.管電壓升高，最強(qiáng)波長(zhǎng)向長(zhǎng)波一側(cè)移動(dòng) E.靶物質(zhì)原子系數(shù)越小，X線總能量越大
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