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集成電路技術綜合練習問答題每日一練(2019.01.24)
問答題
光刻工藝分為哪些步驟?
答案:
1、底膜處理
2、涂膠
3、前烘
4、曝光
5、顯影
6、堅膜
7、刻蝕去膠
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問答題
為什么用阱可實現(xiàn)大阻值電阻?
答案:
阱是低參雜的,方塊電阻較大
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問答題
MOS管的主要噪聲是什么?分別是如何產(chǎn)生的?如何減???
答案:
熱噪聲、閃爍噪聲;
熱噪聲是由溝道內(nèi)載流子的無規(guī)則熱運動造成,閃爍噪聲由溝道處SiO2與Si界面上電子的充放電...
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問答題
常用摻雜方法是什么?
答案:
擴散和離子注入。
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問答題
為什么MOS晶體管會存在飽和區(qū)和非飽和區(qū)之分(不考慮溝道調(diào)制效應)?
答案:
晶體管開通后,其漏源電流隨著漏源電壓而變化。當漏源電壓很小時,隨著漏源電壓的值的增大,溝道內(nèi)電場強度增加,電流隨之增大,...
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